中国业者在NAND Flash产业链的相关布局与投资不断开展，成为中国半导体业挥军全球的下一波焦点。TrendForce旗下拓墣产业研究所最新研究报告显示，随著紫光国芯（原同方国芯）投资、武汉新芯扩厂，及国际厂如三星、英特尔增加产能，预估2020年中国国内Flash月产能达59万片，相较于2015年成长近七倍。

TrendForce预估2012～2016年NAND Flash生产端年平均位元成长率达47%，其终端消费端需求年平均位元成长率亦高达46%，显示NAND Flash仍为高速发展产业。拓墣研究经理林建宏表示，中国在突破记忆体自制缺口的政策方针下发展Flash晶圆制造，可由NAND Flash产品特性、3D NAND需求、新兴市场的成长空间，及国际半导体大厂在中国投资四大方向切入。

1. NAND Flash产品特性（资金成本）：产品在消费性应用下，价格是主要考量，因此生产成本的控制至为关键。中国厂商宜透过折旧认列年限调整、租赁、税负与资金成本等因素操作为切入点。

2. 3D NAND需求（制程微缩）：Flash在进入2x奈米后，制程微缩带来的成本优势越来越不明显，推迟国际Flash大厂技术进程，因此3D-NAND Flash成为成本继续降低的重要方法。林建宏指出，产品由2D走到3D，需有新的技术领域加入，若能整合跨领域人才和技术，能成为中国厂商追赶的机会。

3.新兴市场成长空间：虽然Flash产业短期仍处于供过于求，但长期而言新兴市场仍有成长空间。中国随一带一路政策发展的策略，对开发其周遭新兴市场需求有相当助益，妥善安排资源与发挥对新兴国家的影响力，将是中国独有的优势所在。

4.半导体大厂在中国投资（人力与市场）：国际半导体厂商积极投入中国，在当地培养有经验和技术的人才，支持厂房运维的高度需求，有助降低中国发展自主Flash制造的门槛。中国透过广大的人力和市场成功吸引国际厂商的进驻，为中国发展Flash产业带来最好机会。