从3D IC探讨IC制造封测发展趋势
摘要
在平面电晶体线宽已推进至20nm,立体的FinFET设计也导入商用量产,而EUV的量产仍在开发阶段,各界再度将焦点转向由封装著手晶片微缩的3D IC,但3D IC的导入将可能强烈影响晶圆厂与封装厂原有的边界与生态。
晶圆制造与封装之边界重新画分 |
Source:拓墣产业研究所,2015/04 |
在平面电晶体线宽已推进至20nm,立体的FinFET设计也导入商用量产,而EUV的量产仍在开发阶段,各界再度将焦点转向由封装著手晶片微缩的3D IC,但3D IC的导入将可能强烈影响晶圆厂与封装厂原有的边界与生态。
晶圆制造与封装之边界重新画分 |
Source:拓墣产业研究所,2015/04 |
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