Bumpless Bonding：Hybrid Bonding以外的技术解析与市场展望
摘要
受惠于台积电SoIC-X封装在AI晶片中的渗透率提升，Hybrid Bonder在先进Foundry厂的订单量提升；然Hybrid Bonding成本高昂，且对无尘室洁净度要求极高，因此K&S也于2025年6月提出Cu-Cu TCB的论文，美国MIT Lincoln Laboratory则在2026年5月发表Bumpless Flip-Chip的论文，寻找比Hybrid Bonding更低成本的Bumpless Bonding技术。
本篇报告主要深度解析：(1) Die Bonder技术演进；(2)不同Bumpless Bonding技术比较；(3) Fluxless TCB、Bumpless Bonding市场展望。期能解析从Micro Bump演进到Bumpless的不同Die Bonder技术路线、不同Bumpless Bonding技术原理与效能，以及主要Die Bonder厂商布局。
一. Die Bonder技术演进
二. 不同Bumpless Bonding技术比较
三. Fluxless TCB、Bumpless Bonding市场展望
四. 拓墣观点
图一 Flip-Chip制程步骤
图二 传统Flux TCB与Fluxless TCB制程步骤
图三 Micro Bump与Cu Pad示意图
图四 Hybrid Bonding制程步骤
图五 Bumpless TCB为Hybrid Bonding前的过渡方案
图六 TC Bonder精准控制温度与压力使Cu Pillar、resin贴合
图七 UBM示意图
图八 3种Bumpless Bonding制程示意图
图九 SK hynix研究Hybrid Bonding对HBM封装优势
图十 Samsung研究Hybrid Bonding对HBM封装优势
表一 3种Bumpless Bonding技术比较
表二 主要Die Bonder厂商布局
