2017-09-06 拓墣产业研究院

SiC功率元件发展趋势

焦点报告 IC制造与封测中国半导体

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传统Si半导体材料虽然具备成熟的技术根基，与易量产和易整合的优点，但其本身结构和物理特性使得Si制作的电子元件在高温、高频与高电压的操作环境和光电领域遭遇瓶颈，尤其在功率元件领域更是如此，为解决此瓶颈已有部分厂商将注意力转移到第三代半导体材料SiC，本篇研究报告将以SiC功率元件为轴心提出见解。

SiC功率元件发展趋势

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