第三代半导体产业竞争深化:SiC震荡促GaN垂直整合加速布局

摘要

本篇报告针对SiC市场波动带动GaN厂商加快垂直整合步伐,从材料、设计到制造一体化逐一剖析,探究暨深化产品竞争力与通讯、资料中心、高效电源等市场机会,并洞悉Infineon、Navitas、EPC与Transphorm等关键厂商布局和产品路线。

一. 产业格局转变,SiC优势动摇与GaN契机浮现
二. 创造不对称优势,解构关键厂商共振策略
三. 拓墣观点

图一 2024~2030年全球GaN功率半导体市场规模预估
图二 2025年GaN 功率器件市场分布预估(按器件类型)
图三 2025年GaN功率器件市场分布预估(按产品电压等级)

表一 GaN HEMT技术参数比较(部分代表性元件)
表二 2025、2027年GaN应用市场对应与渗透率预估

 

第三代半导体产业竞争深化:SiC震荡促GaN垂直整合加速布局

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