BJT、MOSFET、IGBT性能对比
摘要
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全称绝缘栅双极型电晶体,是车用功率半导体中最核心产品。从原理来看,IGBT是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件,不仅具有MOSFET开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小等优点,还具备BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的特点。电压范围覆盖600~6500V,应用涵盖工业电源、变频器、新能源汽车、新能源发电到轨道交通、国家电网等一系列领域。