SiC、GaN元件应用电压范围
摘要
第三代半导体SiC、GaN在厂商竞合关系中持续渗入功率半导体市场，在市场追求高压、高功率应用需求下，GaN-on-Si HEMT已可于1.2kV下应用；SiC元件则是在2024～2025年陆续导入8吋晶圆量产，以降低元件单位成本。此外，许多厂商透过新技术和材料，有望大幅减少SiC和GaN元件成本，预计2025～2026年导入量产；其中，若得以实现平价的GaN基板，将有望许多GaN元件厂不仅研发HEMT元件产品，亦得以导入GaN垂直元件的研发。透过垂直元件架构可使GaN元件的耐受电压和功率表现达到水平式HEMT无法触及的境界。鉴于GaN和SiC在电压应用重叠范围的扩大，预计可陆续看到结合2种半导体特性优势的新产品，呈现更优异的功率元件表现。
