2019-02-20 拓墣产业研究院

化合物半导体磊晶市场趋势剖析

焦点报告 IC制造与封测

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摘要

传统矽半导体因自身发展侷限，以及对摩尔定律(Moore’s Law)的限制，需寻找下一世代半导体材料；而化合物半导体材料的高电子迁移率、直接能隙与宽能带等特性，能提供未来半导体发展所需，因此本篇报告将介绍化合物半导体特性、磊晶厂现况与终端市场情形，并进一步剖析未来终端市场走线和磊晶厂发展预估，以充分了解化合物半导体磊晶市场与未来趋势。

化合物半导体磊晶市场趋势剖析

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