全球化合物半导体衬底材料发展格局
摘要
随著电动汽车、通讯、智慧感测、可再生能源等产业的迅速发展,以高频、高功率应用为主的化合物半导体需求持续高涨。砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)是主要的化合物半导体材料,相较于主流的矽,这些半导体材料在禁带宽度、电子迁移率、击穿场强等物理性能方面分别具备一定优势,能承受更高的功率、频率与温度,非常适合RF、功率、光电子等领域。本篇报告以关键的上游衬底材料作为切入点,探讨化合物半导体产业发展状况。
随著电动汽车、通讯、智慧感测、可再生能源等产业的迅速发展,以高频、高功率应用为主的化合物半导体需求持续高涨。砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)是主要的化合物半导体材料,相较于主流的矽,这些半导体材料在禁带宽度、电子迁移率、击穿场强等物理性能方面分别具备一定优势,能承受更高的功率、频率与温度,非常适合RF、功率、光电子等领域。本篇报告以关键的上游衬底材料作为切入点,探讨化合物半导体产业发展状况。
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