化合物半导体关键设备发展动态
摘要
纵观化合物半导体产业链,高品质外延层的制备对元件性能至关重要,现阶段商业化外延设备主要有MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积)、MBE(分子束外延)与HTCVD(高温化学气相沉积)三类,另外的HVPE设备则多由厂商自行搭建。从技术角度看,MOCVD/MBE设备服务于大多数III-V族化合物半导体,例如GaAs/GaN/InP元件;HTCVD则专门用于制造Si/SiC元件。
纵观化合物半导体产业链,高品质外延层的制备对元件性能至关重要,现阶段商业化外延设备主要有MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积)、MBE(分子束外延)与HTCVD(高温化学气相沉积)三类,另外的HVPE设备则多由厂商自行搭建。从技术角度看,MOCVD/MBE设备服务于大多数III-V族化合物半导体,例如GaAs/GaN/InP元件;HTCVD则专门用于制造Si/SiC元件。
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