2013-03-06 拓墣产业研究院

3D IC之TSV钻孔分析

焦点报告 IC制造与封测

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摘要

对于TSV的物理规格终于在2012年有详细的规范，但是对于该使用何种方式来达到此规范，仍旧是各凭本事。目前主流的钻孔技术各有优缺点，重点在三大方向：(1)维持高品质的导孔；(2)提高宽高比；(3)增加钻孔速度。TSV的渗透率在2016年约可达15%，其影响的范围包含前段的蚀刻与后段的封装，但大部分的设备与材料都掌握在外商手上。

2012～2016年TSV渗透率预估

Source：拓墣产业研究所，2013/03

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