EUV将成为下一代半导体微影技术主流
摘要
进入20nm世代，电晶体线宽将微缩至30nm以下，已超越目前主流浸润式微影方案的解析度极限(约为3xnm)，台积电、GlobalFoundries等正在投资建置20nm产线的晶圆厂，皆已相继导入双重曝光(Double Patterning)技术。一旦采用双重甚至三重曝光，将增加晶圆制作流程的时间，不仅生产成本倍增，良率也会随之下降，势将延宕先进制程开发速度。因此，业界才会对解析度可朝30nm以下规格延伸，并能单次曝光的极紫外光(EUV)微影技术寄予厚望；而EUV主要设备供应商ASML更是责无旁贷，务须跨越相关技术门槛，以延续Moore's Law。
微影系统的基本元素 |
 |
| Source：Cymer；拓墣产业研究所整理，2013/10 |
