RF主流制程技术与趋势分析
摘要
SiGe高频特性良好,适合RF电路设计,电流驱动力高,元件杂讯特性良好,电路整合性高,适合系统单晶片设计,并可在CMOS的基础下发展,直接运用现行的矽材料的晶圆厂,开发费用和投资设备费用可以大幅节制,确实展现出一极具潜力的利基市场。
通讯晶片各材料制程比较
Source:拓墣产业研究所,2003/07
SiGe高频特性良好,适合RF电路设计,电流驱动力高,元件杂讯特性良好,电路整合性高,适合系统单晶片设计,并可在CMOS的基础下发展,直接运用现行的矽材料的晶圆厂,开发费用和投资设备费用可以大幅节制,确实展现出一极具潜力的利基市场。
通讯晶片各材料制程比较
Source:拓墣产业研究所,2003/07
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