氧化镓材料的物理特性
摘要
随著日本对氧化镓(Ga2O3)的研究屡获进展，使这类材料逐渐走进大众视野，氧化镓作为一种超宽禁带半导体材料，亦与金刚石(Diamond)、氮化铝(AlN)等材料共同被誉为「第四代半导体」。
凭藉超宽的禁带、超高的理论击穿场强、较低的生长成本等优点，氧化镓在高压大功率元件、深紫外光电探测、抗辐照等方面具有良好应用前景。目前氧化镓单晶和外延生长技术正朝著大尺寸、大范围掺杂可控、低位元错密度、高均一性、高品质的方向发展；功率元件正朝著大电压、高品质因数、高可靠性方向发展；而深紫外探测正朝著高性能、阵列化、成像应用方向发展。
